超200亿！年产36万片国内最大碳化硅基地，正式封顶
作者：zhou 浏览量：186 时间：2024-06-20 17:12:35
6月19日，据长飞先进官微消息显示，年产36万片SiC晶圆的长飞先进武汉基地日前正式完成主体结构封顶
据悉，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。接下来，项目将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产通线。项目投产后可年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光储充等领域。长飞先进专注于SiC功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。目前，长飞先进产品覆盖650V-3300V全电压平台的SiC MOSFET和SBD，应用于车载主驱、车载OBC、光伏逆变器、充电桩逆变器、工业电源等全场景。长飞先进目前晶圆代工产品超过50款，自营产品超过20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET产品已经开始导入市场，面向车载主驱逆变器应用场景。
2，好消息！又一集成电路封装材料项目落户市北
6月18日上午，台湾圣崴科技股份有限公司投资的半导体IC封装材料项目签约落户市北高新区，区委书记胡拥军出席签约仪式并会见台湾圣崴科技股份有限公司总经理蔡幸桦一行。区委副书记、市北高新区党工委书记徐海燕参加活动。
胡拥军对项目签约表示祝贺。他说，近年来，崇川区把集成电路作为战略性新兴产业进行重点培育，市北高新区作为市、区集成电路产业发展的最前沿和主阵地，积极培育产业链头部企业，在芯片设计、制造及封装测试等领域闯出了优势，形成了集成电路产业规模效应。圣崴科技半导体IC封装材料项目的顺利签约，标志着项目正式进入实质性合作阶段，必将为全区集成电路产业集聚发展、做大做强注入新动能。崇川将一如既往坚定秉持“两岸一家亲”理念，发扬“店小二”精神，提供最专业的项目服务、最完备的要素保障、最优质的营商环境，助力项目快开工、快建设、快投产，与企业携手筑梦、共创辉煌。
蔡幸桦对崇川长期以来给予集团发展的关心支持表示感谢。在简要介绍项目情况后，他说，得益于崇川区在集成电路封测领域坚实的产业基础和全面的产业布局，集团十分看好在崇川的发展前景，将抢抓发展机遇，积极开拓市场，为崇川集成电路产业高质量发展作出更大贡献。据悉，新项目为重大外资项目，主要从事IC封装材料生产和销售，该项目建成后能有效实现集成电路产业强链补链延链，优化补全本地产业集群。
